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IRF5803TRPBF中文资料

IRF5803TRPBF图片

IRF5803TRPBF外观图

  • 大小:188.4KB
  • 厂家:International Rectifier
  • 描述: MOSFET,P,40V,3.4A,TSOP6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:3.4A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):112mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-3V; Transistor Case Style:TSOP; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Application Code:LowR; Cont Current Id @ 25°C:3.4A; Cont Current Id @ 70°C:2.7; Current Id Max:-3.4A; Junction to Case Thermal Resistance A:62.5°C/W; Package / Case:TSOP; Power Dissipation Pd:2W; Pulse Current Idm:27A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:40V; Voltage Vds Typ:-40V; Voltage Vgs Max:-3V; Voltage Vgs Rds ...
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:112 毫欧 @ 3.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:37nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1110pF @ 25V
  • 功率 - 最大:2W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-TSOP(0.059",1.50mm 宽)
  • 供应商设备封装:Micro6?(TSOP-6)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IRF5803TRPBF-NDIRF5803TRPBFTR

IRF5803TRPBF供应商

更新时间:2023-01-17 20:57:33
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